Un passo in avanti nell'efficienza dei semiconduttori: Bosch presenta la terza generazione di chip in carburo di silicio

Stoccarda – I chip in carburo di silicio (SiC) sono la chiave per rendere le auto elettriche più efficienti e con maggiore autonomia. Bosch ha portato lo sviluppo di questi semiconduttori a un livello superiore: l'azienda ha iniziato a introdurre la terza generazione di chip in carburo di silicio e sta fornendo campioni alle case automobilistiche globali. Ciò significa che, in futuro, sempre più veicoli elettrici saranno equipaggiati con i chip in SiC di terza generazione di Bosch. "I semiconduttori in carburo di silicio sono elementi chiave dell'elettromobilità. Controllano il flusso di energia e lo rendono il più efficiente possibile. Con i nostri chip in SiC di nuova generazione, stiamo espandendo sistematicamente la nostra leadership tecnologica in questo campo e aiutando i nostri clienti a immettere su strada veicoli elettrici ancora più potenti ed efficienti", ha affermato Markus Heyn, membro del Consiglio di Amministrazione di Bosch e Presidente del settore di business Mobility di Bosch. "La nostra ambizione è chiara: vogliamo essere un produttore leader a livello mondiale di chip in SiC”.

Bosch si sta quindi posizionando in un mercato promettente e in crescita. Le analisi della società di consulenza e ricerca di mercato Yole Intelligence* prevedono che il mercato globale dei semiconduttori di potenza in SiC crescerà dai 2,3 miliardi di dollari del 2023 a circa 9,2 miliardi di dollari entro il 2029, trainato principalmente dall'elettromobilità.

Miliardi investiti nella rete di produzione globale

I semiconduttori in carburo di silicio operano in modo molto più rapido ed efficiente rispetto ai tradizionali chip in silicio. Riducono le perdite di energia e consentono una maggiore densità di potenza nell'elettronica. I semiconduttori Bosch di nuova generazione offrono non solo un vantaggio tecnologico, ma anche economico. "I nostri chip di nuova generazione offrono prestazioni superiori del 20% e sono anche significativamente più piccoli rispetto alla generazione precedente", ha dichiarato Heyn. "Questa miniaturizzazione è la chiave per una maggiore efficienza dei costi, poiché possiamo produrre molti più chip per ogni wafer. Ciò significa che stiamo giocando un ruolo fondamentale nel rendere l'elettronica ad alte prestazioni più disponibile". Bosch ha già consegnato più di 60 milioni di chip in SiC in tutto il mondo da quando la prima generazione è entrata in produzione nel 2021.

Negli ultimi anni, Bosch ha dato un forte impulso allo sviluppo dei chip in SiC e, parallelamente, ha ampliato la capacità produttiva delle clean room. L'azienda ha investito circa 3 miliardi di euro nei semiconduttori nell'ambito dei programmi di finanziamento europei IPCEI (Important Projects of Common European Interest) per la microelettronica e le tecnologie della comunicazione. La sua fabbrica di wafer a Reutlingen, in Germania, sviluppa e produce i chip SiC di terza generazione su moderni wafer da 200 millimetri. All'inizio del 2025, Bosch ha acquisito una seconda fabbrica per la produzione di chip in SiC a Roseville, in California, e la sta attualmente dotando di impianti di produzione all'avanguardia altamente complessi. L'azienda sta investendo ulteriori 1,9 miliardi di euro nello stabilimento statunitense, che produrrà e consegnerà i suoi primi chip in SiC quest'anno, inizialmente sotto forma di campioni per i test presso i clienti. “In futuro, Bosch fornirà i suoi innovativi chip in SiC da questi due stabilimenti in Germania e negli Stati Uniti”, ha spiegato Heyn. “Questo consentirà di rendere le catene di approvvigionamento più solide e resilienti nel contesto della rapida elettrificazione dell'industria automobilistica. Nel medio termine, Bosch intende ampliare la propria capacità produttiva di semiconduttori di potenza in SiC fino a raggiungere volumi nell’ordine delle centinaia di milioni di unità.

L’esclusivo “processo Bosch” è la chiave del successo

Bosch sfrutta un’esperienza produttiva unica per rendere i propri chip più piccoli e potenti. L’azienda ha adattato il proprio processo di incisione, esistente dal 1994 e noto in tutto il settore come “processo Bosch”. Sviluppato originariamente per i sensori, questo metodo consente la realizzazione di strutture verticali ad alta precisione nel carburo di silicio. Questo design aumenta notevolmente la densità di potenza dei chip, un fattore decisivo per le prestazioni superiori della terza generazione.

*Power SiC 2024 report, Yole Intelligence, 2024